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| Numero di parte | CSD19538Q2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14.4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 454pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WSON (2x2) |
| Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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CSD10030A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2 | 0 | Dettagli | |
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CSD10060A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO220 | 0 | Dettagli | |
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CSD10060G | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263 | 0 | Dettagli | |
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CSD108 | Power Integrations | MODULE GATE DVR PP SCALE 1 | - | 17160 | Dettagli |
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CSD123 | Power Integrations | IGBT GATE DRIVER PLUGPLAY | - | 17193 | Dettagli |
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CSD128 | Power Integrations | MODULE GATE DVR PP SCALE 1 | - | 17189 | Dettagli |
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CSD13201W10 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA | - | 72000 | Dettagli |
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CSD13202Q2 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 76A 6SON | - | 0 | Dettagli |
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CSD13302W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A | - | 0 | Dettagli |
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CSD13302WT | Texas Instruments | CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | - | 10000 | Dettagli |
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CSD13303W1015 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA | - | 0 | Dettagli |
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CSD13306W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3.5A | - | 3000 | Dettagli |