TSM2309CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
TSM2309CX RFG P1
TSM2309CX RFG P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM2309CX RFG

Numero di parte
TSM2309CX RFG
fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione
MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte TSM2309CX RFG
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 425pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.56W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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