STW10NK60Z

MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
STW10NK60Z P1
STW10NK60Z P1
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STMicroelectronics ~ STW10NK60Z

Numero di parte
STW10NK60Z
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte STW10NK60Z
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1370pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 4.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3
Pacchetto / caso TO-247-3

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