STS8DN3LLH5

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
STS8DN3LLH5 P1
STS8DN3LLH5 P1
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STMicroelectronics ~ STS8DN3LLH5

Numero di parte
STS8DN3LLH5
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte STS8DN3LLH5
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 724pF @ 25V
Potenza - Max 2.7W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO

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