STR1P2UH7

MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
STR1P2UH7 P1
STR1P2UH7 P1
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STMicroelectronics ~ STR1P2UH7

Numero di parte
STR1P2UH7
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte STR1P2UH7
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 10V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 700mA, 4.5V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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