STPSC8H065DLF

SILICON CARBIDE DIODES
STPSC8H065DLF P1
STPSC8H065DLF P1
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STMicroelectronics ~ STPSC8H065DLF

Numero di parte
STPSC8H065DLF
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
SILICON CARBIDE DIODES
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte STPSC8H065DLF
Stato parte Active
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Corrente - Rettificato medio (Io) 8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 8A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 80µA @ 650V
Capacità @ Vr, F 460pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore PowerFlat™ (8x8) HV
Temperatura operativa - Giunzione -40°C ~ 175°C

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