STPSC12065G-TR

SILICON CARBIDE DIODES
STPSC12065G-TR P1
STPSC12065G-TR P1
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STMicroelectronics ~ STPSC12065G-TR

Numero di parte
STPSC12065G-TR
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
SILICON CARBIDE DIODES
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte STPSC12065G-TR
Stato parte Active
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Corrente - Rettificato medio (Io) 12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 12A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 150µA @ 650V
Capacità @ Vr, F 750pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Temperatura operativa - Giunzione -40°C ~ 175°C

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