STP10NM50N

MOSFET N-CH 500V 7A TO220
STP10NM50N P1
STP10NM50N P2
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STMicroelectronics ~ STP10NM50N

Numero di parte
STP10NM50N
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 7A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte STP10NM50N
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 50V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630 mOhm @ 3.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220
Pacchetto / caso TO-220-3

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