STI25NM60ND

MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
STI25NM60ND P1
STI25NM60ND P1
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STMicroelectronics ~ STI25NM60ND

Numero di parte
STI25NM60ND
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte STI25NM60ND
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 50V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 10.5A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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