SPV1001N30

DIODE GEN PURP 30V 12.5A 8PQFN
SPV1001N30 P1
SPV1001N30 P1
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STMicroelectronics ~ SPV1001N30

Numero di parte
SPV1001N30
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
DIODE GEN PURP 30V 12.5A 8PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte SPV1001N30
Stato parte Obsolete
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Corrente - Rettificato medio (Io) 12.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 850mV @ 5A
Velocità -
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 30V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)
Temperatura operativa - Giunzione -45°C ~ 150°C

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