SKI10123

MOSFET N-CH 100V 66A TO-263
SKI10123 P1
SKI10123 P1
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Sanken ~ SKI10123

Numero di parte
SKI10123
fabbricante
Sanken
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 66A TO-263
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte SKI10123
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 66A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6420pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6 mOhm @ 33A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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