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| Numero di parte | CIG32W1R0MNE |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Multilayer |
| Materiale: core | - |
| Induttanza | 1µH |
| Tolleranza | ±20% |
| Valutazione attuale | 1.5A |
| Corrente - Saturazione | 2.7A |
| Schermatura | Shielded |
| Resistenza DC (DCR) | 60 mOhm |
| Q @ Freq | - |
| Frequenza - Auto Risonanza | - |
| Giudizi | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
| Frequenza - Test | 1MHz |
| Caratteristiche | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Altezza - Seduto (max) | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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CIG32H2R2MNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | FIXED IND 2.2UH 1.6A 125 MOHM | - | 0 | Dettagli |
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CIG32W1R0MNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | FIXED IND 1UH 1.5A 60 MOHM SMD | - | 0 | Dettagli |