SP8M6FRATB

4V DRIVE NCHPCH MOSFET
SP8M6FRATB P1
SP8M6FRATB P1
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Rohm Semiconductor ~ SP8M6FRATB

Numero di parte
SP8M6FRATB
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
4V DRIVE NCHPCH MOSFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte SP8M6FRATB
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta), 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio 150°C
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP

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