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| Numero di parte | SCT3030ALGC11 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 13.3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 18V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1526pF @ 500V |
| Vgs (massimo) | +22V, -4V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 262W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 27A, 18V |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247N |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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