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| Numero di parte | RSS085N05FU6TB |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.4nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | 20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 8.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RSS080N05FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |
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RSS085N05FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC | 0 | Dettagli |