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| Numero di parte | RSJ550N10TL |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6150pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.8 mOhm @ 27.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LPTS |
| Pacchetto / caso | SC-83 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RSJ550N10TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 55A LPTS | 0 | Dettagli |