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| Numero di parte | RS1G150MNTB |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6 mOhm @ 15A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSOP |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RS1G | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | - | 15000 | Dettagli |
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RS1G M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 1186669 | Dettagli |
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RS1G R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 954495 | Dettagli |
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RS1G-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | 0 | Dettagli | |
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RS1G-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | - | 15000 | Dettagli |
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RS1G-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | Dettagli |
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RS1G-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | Dettagli |
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RS1G-M3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 400V DO-214AC | - | 0 | Dettagli |
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RS1G-M3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 400V DO-214AC | - | 0 | Dettagli |
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RS1G/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | Dettagli |
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RS1G120MNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP | - | 5000 | Dettagli |
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RS1G150MNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP | - | 0 | Dettagli |