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| Numero di parte | RFN1LAM7STR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 700V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 800mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 800mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 700V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOD-128 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PMDTM |
| Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RFN10B3STL | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 350V 10A CPD | 0 | Dettagli | |
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RFN10BM3SFHTL | Rohm Semiconductor | SUPER FAST RECOVERY DIODE CORRE | - | 168612 | Dettagli |
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RFN10BM3STL | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 350V 10A TO252 | - | 0 | Dettagli |
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RFN10BM6SFHTL | Rohm Semiconductor | SUPER FAST RECOVERY DIODE AEC-Q | - | 126459 | Dettagli |
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RFN10NS6SFHTL | Rohm Semiconductor | FAST RECOVERY DIODES CORRESPOND | - | 112007 | Dettagli |
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RFN10NS6STL | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS | 0 | Dettagli | |
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RFN10T2D | Rohm Semiconductor | DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN | 479 | Dettagli | |
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RFN10TF6S | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM | 0 | Dettagli | |
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RFN10TF6SFHC9 | Rohm Semiconductor | ROHMS FAST RECOVERY DIODES ARE | - | 43616 | Dettagli |
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RFN1L6STE25 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS | 1500 | Dettagli | |
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RFN1L7STE25 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS | 10500 | Dettagli | |
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RFN1LAM6STFTR | Rohm Semiconductor | RFN1LAM6STF IS THE HIGH RELIABIL | - | 537941 | Dettagli |