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| Numero di parte | RJK6011DJE-00#Z0 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 Ohm @ 50mA, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92MOD |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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RJK6011DJE-00#Z0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92 | - | 0 | Dettagli |
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RJK6012DPE-00#J3 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK | - | 0 | Dettagli |
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RJK6012DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | - | 0 | Dettagli |
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RJK6013DPE-00#J3 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK | - | 0 | Dettagli |
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RJK6013DPE-WS#J3 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH LDPAK | - | 16569 | Dettagli |
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RJK6013DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | - | 0 | Dettagli |
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RJK6014DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | - | 0 | Dettagli |
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RJK6014DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 16A TO220 | - | 0 | Dettagli |
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RJK6015DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 21A TO3P | - | 0 | Dettagli |
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RJK6015DPM-00#T1 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM | - | 0 | Dettagli |
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RJK6018DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 30A TO3P | - | 0 | Dettagli |
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RJK6018DPM-00#T1 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM | - | 0 | Dettagli |