NTLUS3A18PZCTBG

MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
NTLUS3A18PZCTBG P1
NTLUS3A18PZCTBG P1
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ON Semiconductor ~ NTLUS3A18PZCTBG

Numero di parte
NTLUS3A18PZCTBG
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- NTLUS3A18PZCTBG PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte NTLUS3A18PZCTBG
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2240pF @ 15V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 7A, 4.5V
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-UDFN (2x2)
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad

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