NCD5701BDR2G

HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
NCD5701BDR2G P1
NCD5701BDR2G P1
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ON Semiconductor ~ NCD5701BDR2G

Numero di parte
NCD5701BDR2G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- NCD5701BDR2G PDF online browsing
Famiglia
PMIC - Gate driver
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Numero di parte NCD5701BDR2G
Stato parte Active
Configurazione guidata Low-Side
Tipo di canale Single
Numero di driver 1
Gate Type IGBT
Tensione - Fornitura 20V
Tensione logica - VIL, VIH -
Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello) 7.8A, 6.8A
Tipo di input -
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 18ns, 19ns
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC

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