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| Numero di parte | J112G |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 35V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
| Scarico corrente (Id) - max | - |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1V @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Resistenza - RDS (On) | 50 Ohm |
| Potenza - Max | 350mW |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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J10-0001NL | Pulse Electronics Network | IC CHIP | - | 10824 | Dettagli |
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