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| Numero di parte | FDS6690A_NBBM015A |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1205pF @ 15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDS6690A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | - | 60000 | Dettagli |
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FDS6690AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC | - | 2500 | Dettagli |
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FDS6690A_NBBM015A | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V | - | 7060 | Dettagli |
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FDS6692A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | - | 2500 | Dettagli |
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FDS6694 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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FDS6699S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC | - | 0 | Dettagli |