FCPF600N65S3R0L

SUPERFET3 650V TO220F PKG
FCPF600N65S3R0L P1
FCPF600N65S3R0L P1
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ON Semiconductor ~ FCPF600N65S3R0L

Numero di parte
FCPF600N65S3R0L
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
SUPERFET3 650V TO220F PKG
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- FCPF600N65S3R0L PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte FCPF600N65S3R0L
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 465pF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 24W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F-3
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack

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