BSR58LT1G

JFET N-CH 40V 350MW SOT23
BSR58LT1G P1
BSR58LT1G P1
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ON Semiconductor ~ BSR58LT1G

Numero di parte
BSR58LT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - JFET
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Numero di parte BSR58LT1G
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 8mA @ 15V
Scarico corrente (Id) - max -
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 800mV @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Resistenza - RDS (On) 60 Ohm
Potenza - Max 350mW
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)

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