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| Numero di parte | BF199,112 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 25mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 38 @ 7mA, 10V |
| Potenza - Max | 500mW |
| Frequenza - Transizione | 550MHz |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BF10-10L | 3M | CONN SPADE TERM 10-12AWG #10 | - | 0 | Dettagli |
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BF10-10Q | 3M | CONN SPADE TERM 10-12AWG #10 | - | 0 | Dettagli |
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BF10-8Q | 3M | CONN SPADE TERM 10-12AWG #8 | - | 0 | Dettagli |
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BF1005E6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 | - | 0 | Dettagli |
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BF1005SE6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 | - | 0 | Dettagli |
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BF1005SE6433XT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 | - | 0 | Dettagli |
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BF1009SE6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143 | - | 0 | Dettagli |
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BF1009SRE6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R | - | 0 | Dettagli |
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BF1100,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143 | 0 | Dettagli | |
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BF1100R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143 | 0 | Dettagli | |
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BF1100R,235 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143 | 0 | Dettagli | |
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BF1100WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R | 0 | Dettagli |