PRMH10Z

PRMH10/SOT1268/DFN1412-6
PRMH10Z P1
PRMH10Z P1
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Nexperia USA Inc. ~ PRMH10Z

Numero di parte
PRMH10Z
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
PRMH10/SOT1268/DFN1412-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
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Numero di parte PRMH10Z
Stato parte Active
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA
Frequenza - Transizione 230MHz
Potenza - Max 480mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore DFN1412-6

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