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| Numero di parte | PMZB290UNE,315 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 83pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-DFN1006B (0.6x1) |
| Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PMZB200UNEYL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SOT883 | 20000 | Dettagli | |
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PMZB290UN,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN | 0 | Dettagli | |
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PMZB290UNE,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 | 0 | Dettagli | |
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PMZB290UNE2YL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3 | 60000 | Dettagli |