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| Numero di parte | MSMCJ8.0CAE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Zener |
| Canali unidirezionali | - |
| Canali bidirezionali | 1 |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 8V |
| Voltage - Breakdown (Min) | 8.89V |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 13.6V |
| Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 110.3A |
| Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
| Protezione della linea di alimentazione | No |
| applicazioni | General Purpose |
| Capacità @ frequenza | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMCJ) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MSMCG100A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB | - | 0 | Dettagli |
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MSMCG100AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB | - | 0 | Dettagli |
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MSMCG100CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB | - | 0 | Dettagli |
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MSMCG100CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB | - | 0 | Dettagli |
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MSMCG10A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB | - | 200 | Dettagli |
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MSMCG10AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB | - | 0 | Dettagli |
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MSMCG10CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB | - | 0 | Dettagli |
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MSMCG10CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB | - | 0 | Dettagli |
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MSMCG110A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AB | - | 0 | Dettagli |
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MSMCG110AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AB | - | 0 | Dettagli |
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MSMCG110CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AB | - | 0 | Dettagli |
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MSMCG110CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AB | - | 0 | Dettagli |