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| Numero di parte | JANTX1N5822US/TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 40V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
| Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Dettagli |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Dettagli |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Dettagli |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Dettagli |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Dettagli |
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JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Dettagli |
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JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |