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| Numero di parte | JANSR2N3810U |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 100µA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Potenza - Max | 350mW |
| Frequenza - Transizione | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-SMD, No Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SMD |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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JANS1N3595-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35 | - | 0 | Dettagli |
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JANS1N3595US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200MA DO35 | - | 500 | Dettagli |
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JANS1N4099-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 | - | 1 | Dettagli |
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JANS1N4100-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 | - | 500 | Dettagli |
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JANS1N4105UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 11V 500MW DO213AA | - | 4 | Dettagli |
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JANS1N4109UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 15V 500MW DO213AA | - | 19 | Dettagli |
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JANS1N4118UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 27V 500MW DO213AA | - | 0 | Dettagli |
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JANS1N4120-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 30V 500MW DO35 | - | 762 | Dettagli |
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JANS1N4125UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 47V 500MW DO213AA | - | 500 | Dettagli |
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JANS1N4461 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.8V 1.5W DO204AL | - | 491 | Dettagli |
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JANS1N4462 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 7.5V 1.5W DO204AL | - | 500 | Dettagli |
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JANS1N4463US | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 1.5W A-BODY SQ. MELF | - | 550 | Dettagli |