APTGF50DA120T1G

IGBT 1200V 75A 312W SP1
APTGF50DA120T1G P1
APTGF50DA120T1G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGF50DA120T1G

Numero di parte
APTGF50DA120T1G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 75A 312W SP1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte APTGF50DA120T1G
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT NPT
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 75A
Potenza - Max 312W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.45nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP1
Pacchetto dispositivo fornitore SP1

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