APT50GT120LRDQ2G

IGBT 1200V 106A 694W TO264
APT50GT120LRDQ2G P1
APT50GT120LRDQ2G P2
APT50GT120LRDQ2G P1
APT50GT120LRDQ2G P2
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Microsemi Corporation ~ APT50GT120LRDQ2G

Numero di parte
APT50GT120LRDQ2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 106A 694W TO264
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- APT50GT120LRDQ2G PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
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Numero di parte APT50GT120LRDQ2G
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 106A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A
Potenza - Max 694W
Cambiare energia 2585µJ (on), 1910µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 240nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 23ns/215ns
Condizione di test 800V, 50A, 1 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitore TO-264 [L]

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