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| Numero di parte | APT50GS60BRDLG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 93A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 195A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | 415W |
| Cambiare energia | 755µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 235nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 16ns/225ns |
| Condizione di test | 400V, 50A, 4.7 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | - | 32 | Dettagli |
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APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | - | 0 | Dettagli |
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APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | - | 63 | Dettagli |
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APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | - | 23 | Dettagli |
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APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | - | 49 | Dettagli |
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APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | - | 2 | Dettagli |
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APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | - | 83 | Dettagli |
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APT5010LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | - | 69 | Dettagli |
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APT5012JN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP | 0 | Dettagli | |
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APT5014B2VRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V T-MAX | - | 0 | Dettagli |
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APT5014BLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 | - | 7 | Dettagli |
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APT5014SLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK | - | 0 | Dettagli |