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| Numero di parte | SI3415A-TP |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.4W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SI3400-BZ-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | 0 | Dettagli | |
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SI3400-C-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | 0 | Dettagli | |
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SI3400-D-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | 0 | Dettagli | |
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SI3400-E1-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | 0 | Dettagli | |
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SI3400-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | 0 | Dettagli | |
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SI3400A-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 407802 | Dettagli |
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SI3401-D-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | 0 | Dettagli | |
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SI3401-E1-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | 0 | Dettagli | |
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SI3401A-TP | Micro Commercial Co | P-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 866581 | Dettagli |
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SI3402-A-GM | Silicon Labs | IC POE PD LOW EMI SW REG 20VQFN | - | 0 | Dettagli |
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SI3402-A-GMR | Silicon Labs | IC POE PD LOW EMI SW REG 20VQFN | - | 0 | Dettagli |
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SI3402-B-GM | Silicon Labs | IC POE PD LOW EMI SW REG 20VQFN | - | 0 | Dettagli |