GS1J-TP

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
GS1J-TP P1
GS1J-TP P1
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Micro Commercial Co ~ GS1J-TP

Numero di parte
GS1J-TP
fabbricante
Micro Commercial Co
Descrizione
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte GS1J-TP
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corrente - Rettificato medio (Io) 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (HSMA)
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C

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