Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | IXUN350N10 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 350A |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 640nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27000pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 830W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 175A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXUN280N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B | - | 0 | Dettagli |
 |
IXUN350N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B | 0 | Dettagli |