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| Numero di parte | IXTX1R4N450HV |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 4500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 960W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 Ohm @ 50mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247HV |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IXTX102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247 | - | 89 | Dettagli |
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IXTX110N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 | - | 32 | Dettagli |
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IXTX120N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247 | - | 60 | Dettagli |
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IXTX120P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247 | - | 0 | Dettagli |
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IXTX170P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247 | - | 0 | Dettagli |
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IXTX17N120L | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 | 0 | Dettagli | |
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IXTX1R4N450HV | IXYS | 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR | 31 | Dettagli |