IXTV26N60PS

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD
IXTV26N60PS P1
IXTV26N60PS P1
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IXYS ~ IXTV26N60PS

Numero di parte
IXTV26N60PS
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXTV26N60PS
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4150pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PLUS-220SMD
Pacchetto / caso PLUS-220SMD

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