IXTH102N20T

MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
IXTH102N20T P1
IXTH102N20T P2
IXTH102N20T P1
IXTH102N20T P2
Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.

IXYS ~ IXTH102N20T

Numero di parte
IXTH102N20T
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- IXTH102N20T PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
  • In stock $ Quantità pz
  • Prezzo di riferimento : submit a request

Invia una richiesta di preventivo su quantità maggiori di quelle visualizzate.

Parametro del prodotto

Tutti i prodotti

Numero di parte IXTH102N20T
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 102A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 750W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)
Pacchetto / caso TO-247-3

prodotti correlati

Tutti i prodotti