IXTF2N300P3

MOSFET N-CH
IXTF2N300P3 P1
IXTF2N300P3 P1
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IXYS ~ IXTF2N300P3

Numero di parte
IXTF2N300P3
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXTF2N300P3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 3000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1890pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS i4-PAC™
Pacchetto / caso ISOPLUSi5-Pak™

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