IXFX100N65X2

MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
IXFX100N65X2 P1
IXFX100N65X2 P1
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IXYS ~ IXFX100N65X2

Numero di parte
IXFX100N65X2
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXFX100N65X2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11300pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PLUS247™-3
Pacchetto / caso TO-247-3

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