IXFV20N80PS

MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD
IXFV20N80PS P1
IXFV20N80PS P1
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IXYS ~ IXFV20N80PS

Numero di parte
IXFV20N80PS
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXFV20N80PS
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4685pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PLUS-220SMD
Pacchetto / caso PLUS-220SMD

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