IXFP8N85XM

MOSFET N-CH
IXFP8N85XM P1
IXFP8N85XM P1
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IXYS ~ IXFP8N85XM

Numero di parte
IXFP8N85XM
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXFP8N85XM
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 850V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 654pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 33W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 Isolated Tab
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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