IXFK20N120P

MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
IXFK20N120P P1
IXFK20N120P P1
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IXYS ~ IXFK20N120P

Numero di parte
IXFK20N120P
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXFK20N120P
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 193nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11100pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 570 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK)
Pacchetto / caso TO-264-3, TO-264AA

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