IXFB210N20P

MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
IXFB210N20P P1
IXFB210N20P P1
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IXYS ~ IXFB210N20P

Numero di parte
IXFB210N20P
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXFB210N20P
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 210A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 18600pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 105A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PLUS264™
Pacchetto / caso TO-264-3, TO-264AA

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