KGF6N05D-400

IC MOSFET N-CH
KGF6N05D-400 P1
KGF6N05D-400 P1
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Renesas Electronics America Inc. ~ KGF6N05D-400

Numero di parte
KGF6N05D-400
fabbricante
Renesas Electronics America Inc.
Descrizione
IC MOSFET N-CH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte KGF6N05D-400
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 5.5V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 0.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 3.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 5.5V
Potenza - Max 2.5W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 20-UFLGA, CSP
Pacchetto dispositivo fornitore 20-WLCSP (2.48x1.17)

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