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| Numero di parte | IRFSL3607PBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3070pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 46A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IRFS11N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFS11N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | - | 340 | Dettagli |
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IRFS11N50ATRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFS11N50ATRLP | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFS11N50ATRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFS11N50ATRRP | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFS17N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IRFS17N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IRFS17N20DTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IRFS17N20DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IRFS17N20DTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IRFS17N20DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | 0 | Dettagli |