IRFH8201TRPBF

MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
IRFH8201TRPBF P1
IRFH8201TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFH8201TRPBF

Numero di parte
IRFH8201TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRFH8201TRPBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 49A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 111nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7330pF @ 13V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN

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