IRF7769L1TRPBF

MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
IRF7769L1TRPBF P1
IRF7769L1TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF7769L1TRPBF

Numero di parte
IRF7769L1TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRF7769L1TRPBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 124A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11560pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 74A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET L8
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric L8

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